| Посткристаллизационная модификация свойств полупроводниковых материалов. Публикации2006
2004
1. И.Н. Один, М.В. Чукичев, Е.В. Висицкий, М.Э. Рубина, Н.А. Мазов. Влияние изо- и гетеровалентного замещения на люминесцентные свойства CdS в системах Zn, Cd//S, Te; In(III), Cd//S, Te. Неорганические материалы. 2006, т. 42, № 10, с. 1159. 
20031. И.Н. Один, М.В. Чукичев, М.Э. Рубина. Легирование кристаллов CdS
в парах кадмия индием и теллуром и люминесцентные свойства кристаллов.
Изв. РАН. Неорган. материалы, 2004, т. 40, № 12, 
2. И.Н. Один, М.В. Чукичев, М.Э. Рубина. Люминесцентные и электрофизические
свойства метастабильных четверных соединений в системах Cd3S3
+ M2Te3 = Cd3Te3 + M2S3
(M = In, Ga). Изв. РАН. Неорган. материалы, 2004, т. 40, № 12,.
3. Я.И. Аливов, С.Д. Колониус, И.Н. Один, М.В. Чукичев. Влияние отжига
на катодолюминесценцию эпитаксиальных слоев ZnO: Ga, имплантированных азотом.
Изв.РАН. Сер. Физическая. 2004, т. 68, № 9, 1374-1376.
 
20011. И.Н.Один, М.В.Чукичев. Исследование влияния иода на люминесцентные
свойства кристаллов халькогенидов кадмия. Неорганические материалы. 2003.
Т.39. N 5. С. 534-537.
2. И.Н.Один, М.В.Чукичев, М.Э.Рубина. Получение и люминесцентные свойства
кристаллов CdS, легированных галлием и теллуром в парах кадмия. Неорганические
материалы. 2003. Т.39. N 7. С. 793-795.
 
2000
1. И.Н. Один, М.В. Чукичев, В.А. Иванов, М.Э. Рубина. Люминесценция кристаллов
CdS, CdSe, CdTe, легированных кремнием, и тройных соединений Cd4SiS6,
Cd4SiSe6. Изв. РАН, неорган. материалы, Т. 37, В.
5, С. 536-539 (2001).
2. T.A. Kuznetsova, S.G. Dorofeev, V.P. Zlomanov, O.I. Tananaeva. Influence
of Doping Level and the Chracter of phase Diagrams on the Real Structure
of Doped PbTe Crystals. 4th International Conference "Single Crystal Growth
and Heat & Mass Transfer", Obninsk, Russia, September 24-28, 2001,
Proceedings, V. 2, P. 523-529.
3. Один И.Н., Чукичев М.В. Метастабильные фазы, кристаллизующиеся из
расплавов взаимных систем PbX + CdI2 = CdX + PbI2
(X=S, Se, Te). Журн. неорг. химии. 2001. Т.46. № 12. С. 208З-2087.
 
1999
1. Zavrazhnov A.N., Semenov V., Turchen D., Zlomanov V.P., Petrov V. Oxidizing
Intercalation of Layered Structures.// Materials Technology. 2000. V. 15.
N 2. P. 155-160.
2. Один И.Н., Чукичев М.В., Рубина М.Э. Люминесцентные свойства монокристаллов
селенида кадмия, легированных сурьмой (висмутом).//Неорган.материалы. 2000.
Т.36. № 3. С. 298-301. 
1998
1. Один И.Н., Чукичев М.В., Гринько В.В. Люминесцентные свойства кристаллов
сульфида и селенида кадмия, легированного бромом // Неорганические материалы,
1999, Т.35, №11.
2. Один И.Н., Чукичев М.В., Галиулин Э.А. Получение и люминесцентные свойства
монокристаллов CdX, CdX // Неорганические материалы, 1999, Т.35,
№11. 
1997
1. Вертелецкий П.В., Зломанов В.П., Тананаева О.И.. Легирование теллурида
свинца хромом // Изв.РАН, Неорган. материалы, 1998, Т.34, № 4, С. 400-405.
2. Кузнецова Т.А., Зломанов В.П., Тананаева О.И. Особенности легирования
теллурида свинца кобальтом и никелем // Изв. РАН, Неорган. материалы, 1998,
Т.34, № 9, С.1055-1061.
3. Петрыкин В.В., Один И.Н., Зломанов В.П., Занг Дж.ДЖ. Влияние п-толуидина,
нестехиометрии и легирования на интенсивность фотолюминесценции монокристаллов
CdSe, CdS // Изв. РАН, Неорганич. Материалы, 1998, Т.34, №2, С.142-147.  
1. Вертелецкий П.В., Зломанов В.П., Тананаева О.И.. Легирование теллурида
свинца хромом // Неорганические материалы, 1997, т.33, № 12. |