Посткристаллизационная модификация свойств полупроводниковых материалов. Публикации

2006
  • 1. И.Н. Один, М.В. Чукичев, Е.В. Висицкий, М.Э. Рубина, Н.А. Мазов. Влияние изо- и гетеровалентного замещения на люминесцентные свойства CdS в системах Zn, Cd//S, Te; In(III), Cd//S, Te. Неорганические материалы. 2006, т. 42, № 10, с. 1159.
2004
  • 1. И.Н. Один, М.В. Чукичев, М.Э. Рубина. Легирование кристаллов CdS в парах кадмия индием и теллуром и люминесцентные свойства кристаллов. Изв. РАН. Неорган. материалы, 2004, т. 40, № 12, 
  • 2. И.Н. Один, М.В. Чукичев, М.Э. Рубина. Люминесцентные и электрофизические свойства метастабильных четверных соединений в системах Cd3S3 + M2Te3 = Cd3Te3 + M2S3 (M = In, Ga). Изв. РАН. Неорган. материалы, 2004, т. 40, № 12,.
  • 3. Я.И. Аливов, С.Д. Колониус, И.Н. Один, М.В. Чукичев. Влияние отжига на катодолюминесценцию эпитаксиальных слоев ZnO: Ga, имплантированных азотом. Изв.РАН. Сер. Физическая. 2004, т. 68, № 9, 1374-1376.
2003
  • 1. И.Н.Один, М.В.Чукичев. Исследование влияния иода на люминесцентные свойства кристаллов халькогенидов кадмия. Неорганические материалы. 2003. Т.39. N 5. С. 534-537.
  • 2. И.Н.Один, М.В.Чукичев, М.Э.Рубина. Получение и люминесцентные свойства кристаллов CdS, легированных галлием и теллуром в парах кадмия. Неорганические материалы. 2003. Т.39. N 7. С. 793-795.
2001
  • 1. И.Н. Один, М.В. Чукичев, В.А. Иванов, М.Э. Рубина. Люминесценция кристаллов CdS, CdSe, CdTe, легированных кремнием, и тройных соединений Cd4SiS6, Cd4SiSe6. Изв. РАН, неорган. материалы, Т. 37, В. 5, С. 536-539 (2001).
  • 2. T.A. Kuznetsova, S.G. Dorofeev, V.P. Zlomanov, O.I. Tananaeva. Influence of Doping Level and the Chracter of phase Diagrams on the Real Structure of Doped PbTe Crystals. 4th International Conference "Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer", Obninsk, Russia, September 24-28, 2001, Proceedings, V. 2, P. 523-529.
  • 3. Один И.Н., Чукичев М.В. Метастабильные фазы, кристаллизующиеся из расплавов взаимных систем PbX + CdI2 = CdX + PbI2 (X=S, Se, Te). Журн. неорг. химии. 2001. Т.46. № 12. С. 208З-2087.
2000
  • 1. Zavrazhnov A.N., Semenov V., Turchen D., Zlomanov V.P., Petrov V. Oxidizing Intercalation of Layered Structures.// Materials Technology. 2000. V. 15. N 2. P. 155-160.
  • 2. Один И.Н., Чукичев М.В., Рубина М.Э. Люминесцентные свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных сурьмой (висмутом).//Неорган.материалы. 2000. Т.36. № 3. С. 298-301.
1999
  • 1. Один И.Н., Чукичев М.В., Гринько В.В. Люминесцентные свойства кристаллов сульфида и селенида кадмия, легированного бромом // Неорганические материалы, 1999, Т.35, №11.
  • 2. Один И.Н., Чукичев М.В., Галиулин Э.А. Получение и люминесцентные свойства монокристаллов CdX, CdX // Неорганические материалы, 1999, Т.35, №11.
1998
  • 1. Вертелецкий П.В., Зломанов В.П., Тананаева О.И.. Легирование теллурида свинца хромом // Изв.РАН, Неорган. материалы, 1998, Т.34, № 4, С. 400-405.
  • 2. Кузнецова Т.А., Зломанов В.П., Тананаева О.И. Особенности легирования теллурида свинца кобальтом и никелем // Изв. РАН, Неорган. материалы, 1998, Т.34, № 9, С.1055-1061.
  • 3. Петрыкин В.В., Один И.Н., Зломанов В.П., Занг Дж.ДЖ. Влияние п-толуидина, нестехиометрии и легирования на интенсивность фотолюминесценции монокристаллов CdSe, CdS // Изв. РАН, Неорганич. Материалы, 1998, Т.34, №2, С.142-147. 
1997
  • 1. Вертелецкий П.В., Зломанов В.П., Тананаева О.И.. Легирование теллурида свинца хромом // Неорганические материалы, 1997, т.33, № 12.
Лаборатория химии и физики полупроводниковых материалов
написать нам   главная страница   english version