Исследование энергетического спектра, примесных состояний, фотопроводимости твердых растворов. Публикации

• 1. Р.Б. Васильев, С.Г. Дорофеев, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, А.М. Гаськов. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики SnO₂ с варьируемым размером кристаллита. Физика и техника полупроводников, 2006, т. 40, № 1, с. 108.
• 2. А.Е. Кожанов, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики SnO₂ с варьируемым размером кристаллита. Физика и техника полупроводников, 2006, т. 40, № 1, с. 108.
• 3. B.A. Akimov, D.R. Khokhlov, V.V. Pryadun, L.I. Ryabova. Ferroelectric phase transition and impurity-lattice correlations in Pb_1-xGe_xTe(Ga). Moldavian Journal of Physics, 2006, v. 5, # 1, p. 32.

• 1. Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, В.А. Васильков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga). ФТТ, т. 47, № 1, 2005, 160-163.
• 2. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Новый тип материалов для высокофоточувствительных инфракрасных фотоприемников. Прикладная физика, № 2, 2005, 58-63.
• 3. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Новый тип высокочувствительных приемников излучения терагерцового диапазона. Вестник Моск.ун-та. Серия 3. Физики. Астрономия, № 1, 2005, 59-64.

• 1. Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием. Физика и техн. полупроводников, 2003, т. 38, вып. 3, С. 293-295.
• 2. Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов. Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga). Физика низких температур, 2004, т. 30, № 11, С. 1209-1213.
• 3. R.B.Vasiliev, M.N. Rumyantseva, S.G. Dorofeev, Yu.M. Potashnikova, L.I. Ryabova, A.M. Gaskov. Crystallite size effect on the conductivity  of the ultradisperse  ceramics of SnO₂ and In₂O₃. Mendeleev Commun. 2004, № 4, 167-169.
• 4. Р.Б. Васильев, Л.И. Рябова, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров. Успехи химии, 2004, 73(10), 1019-1038.
• 5. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца. Письма в ЖЭТФ, 2004, Т.80, В. 2, 143-149.

• 1. Б.А.Акимов, Н.Б.Брандт, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Перспективная aльтернатива современным высокочувствительным фотоприемникам инфракрасного диапазона. Перспективные,материалы, № 4. 2003

• 1. Б.А.Волков, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца. УФН 172, N 8, с.875-906, 2002.
• 2. L.Ryabova and B.Akimov. Chapter "Doped Lead Chalcogenides" in а book "Lead Chalcogenides: Physics and Applications", editоr D.Khoklov. V.12 оf book series edited by M.O.Mauasreh "Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices", Gordon and Breach Publishers, 2002.

• 1. Р.Б. Васильев, А.М. Гаськов, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, Б.А. Акимов. Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SnO₂(Ni)/p-Si в условиях газовой адсорбции. ФТП, Т. 35, В. 4, С. 436-438 (2001).
• 2. Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, Л.И. Рябова, В.Н. Васильков. Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga). ФТП, Т. 35, В. 5, С. 524-527 (2001).
• 3. O.V. Safonova, M.N. Rumyantseva, L.I. Ryabova, M. Labeau, G. Delabouglise, A.M. Gaskov. Effect of combined Pb and Cu doping on microstructure, electrical and gas sensor properties of nanocrystalline tin oxide. Mater. Sci. Engineering, V. B85, P. 43-49 (2001).
• 4. М.Н. Румянцева, М.Н. Булова, Д.А. Чареев, Л.И. Рябова, Б.А. Акимов, И.В. Архангельский, А.М. Гаськов. Синтез и исследование нанокомпозитов на основе полупроводниковых оксидов SnO₂ и WO₃. Вестник МГУ, серия химическая (2001).
• 5. B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlensky, L.I Ryabova, V.N. Vasilkov. High infrared sensitivity of n-PbTe(Ga) thin films. V-th International Conference "Materian Science and Properties for Infrared Optoelectronics", Editor Fiodor F. Sizov, Proseedings of SPIE, V. 435, P. 40-43 (2001).

• 1. B.A.Akimov, V.A.Bogoyavlenskiy, L.I.Ryabova, V.N.Vasilkov. Experimental study of negative photoconductivity in n-PbTe(Ga) epitaxial films. Phys. Rev. B, v. 61, N 23, p.16045-16051 (2000).
• 2. B.A.Akimov, V.A.Bogoyavlenskiy, L.I.Ryabova, V.N.Vasilkov. Positive and negative photoconductivity in lead telluride doped with gallium epitaxial films. Infrared Applications of Semiconductors III. Symposium (Material Research Society Symposium Proceedings Vol. 607). Mater. Res. Soc. 2000, p.327-332. Warrendale, PA, USA.

• 1. Акимов Б.А., Богоявленский В.А., Васильков В.Н., Рябова Л.И., Слынько Е.И. Термостимулированные токи и неустойчивости фотоотклика в сплавах на основе PbTe(In) при низких температурах // ФТП, 1999, Т.33, В.1, С.9-12.
• 2. Akimov B.A., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasil'kov V.N., Zimin S.P. Photoconductivity kinetics in high resistivity n-PbTe(Ga) epitaxial films // Semiconductor Science and Technology, 1999, V.19, № 8, P.679-684. 
• 3. Zlomanov V.P., Tkalich A.K. Charge impurity states of In, Ga, Ge in the narrow-gap PbTe // Proceed. SPIE, 1999, V. 3890, P. 153-157.

• 1. Akimov B.A., Bogdanov E.V., Bogoyavlensky V.A., Ryabova L.I., Shtanov V.I. Characteristics of diode structures based on the p-PbTe(Ga)-In contact // Infrared Physics and Technology, 1998, V.39, P.287-292.
• 2. Akimov B.A., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasil'kov V.N. Metastable electronic states and thermoelectrical instabilities in PbTe(In) based films // Physica Status Solidi (b), 1998, V.210, №12.
• 3. Akimov B.A., Lvova N.A., Ryabova L.I. Quantum oscillatory properties of the semimagnetic semiconductor PbTe(Cr) // Phys. Rev. B, 1998, V.58, N16, P.10430-10434.
• 4. Akimov B.A., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasil'kov V.N. DX-like centers and photoconductivity kinetics in the PbTe-based alloys // Materials Research Society Symposium Proceedings "Infrared applications of semiconductors" Editor: D.L. McDaniel, 1998, V. 484, P. 359-364.

• 1. Акимов Б.А., Богданов Е.В., Богоявленский В.А., рябова Л.И., Штанов В.И. Свойства диодных структур на основе p-PbTe(Ga) // ФТП, 1997, Т.31, В.12, С.1431-1435.
• 2. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Албул А.В., Рябова Л.И. Электротермические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga) // ФТП, 1997, Т.31, № 2, С.133-136.

• 1. Акимов Б.А., Львова Н.А., Рябова Л.И. Кинетика фотопроводимости в твердых растворах PbMnTe(In) при изменении их состава. // ФТП, 1996, Т.30, N 9, С. 1647-1652.